By Dr. rer. nat. H. Tholl (auth.)

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V r--...... }.! }.! }.! als Funktion der Frequenz! 1OS 5 10" H~ 5 lOS Differenziert man GJ. 3) Setzen wir GJ. 3) in GJ. 4) Beispiel 5. jil! jil! 1 charakterisiert wird, berechne man flir die Frequenz f = 1 kHz denjenigen Generatorwiderstand RG(F=Fm,n)' flir den die Rauschzahl F minimal wird. Aus GI. ir minimale Rauschzahl ist also sehr gro/3 und wird bei liblicher Schaltungstechnik von keinem Signalgenerator erreicht. Hier unterscheidet sich der FET vom bipolaren Transistor, der bei Generatorwiderstanden im kQ-Bereich die kleinste Rauschzahl aufweist.

Beispiel 11. 1 betrieben. Die Source-Widerstande betragen Rs = 1 kO, Rs = 280 O. Es wird ein Gate-Widerstand R = 1 MO ~ RG verwendet, und der FET hat die Steilheit S = 7 rnA/V und den differentiellen Drain-Source-Widerstand ToS = 10 kO. Man berechne Spannungsverstarkung, Ein- und Ausgangswiderstand bei kapazitiv iiberbriicktern (a) sowie bei nicht iiberbriicktern SourceWiderstand Rs (b). Zu a): Mit dern Widerstand Rp = R~ Tos/(R~ + TOS) = 1 kO . 10 kO/(1 kO erhalten wir aus Gl. 5) die Spannungsverstarkung Vu = SR p/(1 + SRp) = 7 (rnA/V) 0,91 kO/[1 + 10 kO) = + 7 (rnA/V) 0,91 kO] = 0,91 kO 0,86 < 1 Der Eingangswiderstand wird nach Gl.

1 betrieben. Die Source-Widerstande betragen Rs = 1 kO, Rs = 280 O. Es wird ein Gate-Widerstand R = 1 MO ~ RG verwendet, und der FET hat die Steilheit S = 7 rnA/V und den differentiellen Drain-Source-Widerstand ToS = 10 kO. Man berechne Spannungsverstarkung, Ein- und Ausgangswiderstand bei kapazitiv iiberbriicktern (a) sowie bei nicht iiberbriicktern SourceWiderstand Rs (b). Zu a): Mit dern Widerstand Rp = R~ Tos/(R~ + TOS) = 1 kO . 10 kO/(1 kO erhalten wir aus Gl. 5) die Spannungsverstarkung Vu = SR p/(1 + SRp) = 7 (rnA/V) 0,91 kO/[1 + 10 kO) = + 7 (rnA/V) 0,91 kO] = 0,91 kO 0,86 < 1 Der Eingangswiderstand wird nach Gl.

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